量子阱,Quantum well
1)Quantum well量子阱
1.Resonant modes in quantum well structure composed of photonic crystals with different lattice constants;不同晶格常数光子晶体构成的光量子阱中的共振模
2.Optical properties and material growth of GaAs(110) quantum wells;GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性
3.Light emitting model of GaN LED quantum well;GaN LED量子阱光发射模型
英文短句/例句
1.semiconductor quantum well laser diode量子阱半导体激光管
2.MQW semiconductor laser多量子阱半导体激光器
3.quantum-well semiconductor laser量子阱半导体激光器
4.quantum well heterojunction laser量子阱异质结激光器
5.Researches on AlGaInN QW LED;AlGaInN量子阱LED的研究
6.Optimization Design of Quantum Wells Number in Active Cavity of Quantum Well LD量子阱LD有源区量子阱数目的优化设计
7.Studies on the Nonlinear Optical Properties in Coupled Quantum Wells and Cylindrical Quantum Dot Quantum Well非对称耦合量子阱、柱形量子点量子阱中非线性光学性质研究
8.The Energy of an Exciton in a Wurtzite GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Well纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱中激子能量
9.Energy of Bound Polaron in Wurtzite GaN/AlN Quantum Well纤锌矿GaN/AlN量子阱中束缚极化子能量
10.Research on energy level properties of symmetric coupled quantum well and optimization for quantum well structures;对称耦合量子阱能级特性研究与量子阱结构优化
11.Tunneling of Electrons Through Parabolic Quantum Well Structures with Double Barriers;双势垒抛物量子阱结构中的电子隧穿
12.The Theoretical Study of Particle Transmission in Quantum Well System量子阱系统中对粒子透射的理论研究
13.Properties of the Weak-coupling Polaron in Infinite Quantum Well无限深量子阱中弱耦合极化子的性质
14.Study on Polaron Effect in Quantum Wire and Quantum Well with Parabolic Confining Potential抛物量子线、量子阱中极化子效应的研究
15.STUDY OF THE PL SPECTRA OF ASYMMETRIC COUPLED DOUBLE QUANTUM WELLS非对称耦合双量子阱的荧光光谱研究
16.Experimentally Study the Electromechanical Character of Quantum Well Thin Film Structure;量子阱薄膜结构的机电特性实验研究
17.A Study of Photocurrents of Terahertz Quantum-Well Photodetectors;太赫兹量子阱探测器光电流谱的研究
18.Study on InGaAs/GaAs Strained Quantum well Lasers;InGaAs/GaAs应变量子阱半导体激光器的研究
相关短句/例句
quantum wells量子阱
1.Optical second-harmonic generation inquantum wells of biased electric-field;加偏置电场量子阱中二次谐波产生系数的计算
2.Optical characteristics of AlGaInP/GaInP multiplequantum wells with Si-doping;Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性
3.Wavelength Filter and Converter by Nondegenerate Four-wave Mixing in an Optical Amplifier with Tensile and Compressively Strained Quantum Wells;应变量子阱光放大器中NDFWM波长转换和滤波(英文)
3)quantum-well量子阱
1.Effect of Structural Parameters on Current-Voltage Characteristics in a Three-quantum-well Superlattice Unit;结构参数对三量子阱超晶格单元结构伏安特性的影响
2.Spectrums ofquantum-well excitons;量子阱中激子的光谱结构
3.Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Terahertz Semiconductor Quantum-well Photodetectors太赫兹量子阱光探测器电子输运特性的MC模拟
4)QW量子阱
1.Research advances in GaN-basedQW devices;GaN系量子阱器件的研究进展
2.Researches on AlGaInNQW LED;AlGaInN量子阱LED的研究
3.AlGaInP:Si/GaInP and AlGaInP/GaInP MQW structures were grown by LP-MOCVD.低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。
5)MQW量子阱
1.Change in radiation tolerance of GaAs solar cells due to theMQW structure;GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化
2.Optimizing Design of Si1-x Ge x Waveguide and Si1-x Ge x/SiMQW Photodetector for 1.55 μm Operation;1.55μmSi_(1-x)Ge_x光波导与Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱探测器集成的优化设计
3.The performance degradation of multi-quantum well (MQW) GaAs solar cells is studied.2MeV,1×109~2×1013cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应。
6)photonic quantum well光量子阱
1.Modulated photon confined states with graded-indexphotonic quantum well structure;渐变折射率光量子阱对束缚态能级的调整
延伸阅读
量子阱量子阱quantum Well到明显的量子化效应，阱宽尺寸必须小于电子的平均自由程(约为500人数量级)，并小于或等于电子的德布罗意波波长月d以d二h/P，h为普朗克常数，P为电子动量)。这表明，只有当阱宽尺寸足够小时才能形成量子阱。利用分子束外延、金属有机化合物化学气相沉积等薄层生长技术，已能制备不同结构参量的量子阱材料。结构在两种不同半导体材料形成的异质结界面处，导带边和价带边各有一个阶跃(见异质结)。两个彼此相距足够近的、相向的突变异质结就能形成一个典型的矩形量子阱，其中禁带宽度大的半导体材料组成势垒层，两个势垒层之间禁带宽度较小的半导体材料薄层组成势阱层。被束缚于阱层内的载流子(电子或空穴)的波函数和能级取决于量子阱的势垒高度V0、阱宽Lw、垒宽Lz、阱和垒中载流子的有效质量阴每、卿言等参量。束缚在势阱中的电子波函数在之方向受到势垒的限制，其能量状态发生量子化(图l)。但在x，y┌──────┐│ \_护/ ││/尹--一、、 │├──────┤││└──────┘图l量子阱的能级和波函数方向平面内，电子仍可自由运动。当势垒高度为无限大(巧一co)时，按薛定愕方程，电子在势阱中将处于分立的能级，其能量本征值为。九/”万、2.九乙”一~痴砰、王蕊声十石蔽万气‘十芍，式中，解和m乃是电子在之方向和与之垂直的方向上的有效质量;kx和ky是电子在x、y方向的波矢;”为能级的量子数，取1，2，3，……等分立的整数值。当势垒高度V0为有限值时，量子阱中波函数和所形成的子能级的情况变化不大，但电子波函数将从势阱向两侧的势垒层扩展，从界面开始向势垒方向按指数衰减;量子能级的能量位置也有所移动。上述矩形单量子阱中的电子态问题实际上就是量子力学中最简单的一维方阱问题，量子阱材料的生长使这一基础物理问题在人工制备的结构中得以实现。在由两种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间祸合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称多量子阱。如果势垒层很薄，相邻阱之间的祸合很强，原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。具有超晶格特点的结构有时称为祸合的多量子阱。物理特性量子阱中的电子态、声子态和其他元激发过程以及它们之间的相互作用，与三维体材料中的情况有很大差别。
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