CSD88539NDT
规格
产品属性
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:11.7 A
Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.6 V
Qg-栅极电荷:7.2 nC
比较小工作温度:- 55 C
比较大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.1 W
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET
系列:CSD88539ND
封装:Reel
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
商标:Texas Instruments
配置:Dual
下降时间:4 ns
高度:1.75 mm
长度:4.9 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
250
子类别:MOSFETs
晶体管类型:2 N-Channel
典型关闭延迟时间:14 ns
典型接通延迟时间:5 ns
宽度:3.9 mm
单位重量:74 mg
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